Продукция
> Дискретные полупроводниковые приборы > Дискретные полупроводниковые модули
Discrete Semiconductor Modules
- Картинка & Модели
- Описание
- Соедините цену
- Количество
- Операция
-
-
7MBP200VEA120-50
Производитель: FUJITSU
-
IGBT MODULE (V series) 1200V / 200A / IPM
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 1000
-
-
6MBP20VAA060-50
Производитель: FUJITSU
-
IGBT MODULE (V series) 600V / 20A / IPM
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 350
-
-
200 MHz, 24 dB gain reverse amplifier - Composite triple beat (CTB): -67 dB; Description: 200 MHz, 24 dB gain Reverse Amplifier ; Frequency range: 5 - 200 Hz; Gain: 24 dB; Return loss (input/output): 20/20 dB; Total current consumption (Itot): 230 mA
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 208
-
-
M629 3 Phase Bridge IGBT Module, 450 A max, 1200 V, PCB Mount
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 50
-
-
IGBT MODULE (V series) 600V / 300A / 2 in one package
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 150
-
-
16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 208



ВСЕ КАТЕГОРИИ