Продукция > Дискретные полупроводниковые приборы > Дискретные полупроводниковые модули
Discrete Semiconductor Modules

- Картинка & Модели
- Описание
- Соедините цену
- Количество
- Операция
-
-
POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module 90 Amperes / Up to 1600 Volts
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 48
-
-
35.5 dB 1-200 MHz 1.6 WATT WIDEBAND LINEAR AMPLIFIER
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 60
-
-
34 dB 10-450 MHz 800 mWATT WIDEBAND LINEAR AMPLIFIER
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 208
-
-
34 dB 10-450 MHz 800 mWATT WIDEBAND LINEAR AMPLIFIER
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 16
-
-
Low drop fixed and adjustable positive voltage regulators
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 208
-
-
IGBT Modules up to 1600V / 1700V Diodes; Package: AG-62MM-2; IF (max): 400.0 A; VRRM (max): 1,700.0 V; RthJC (max): 0.09 K/W; Configuration: Diode Modules; Housing: 62 mm;,IGBT Transistors 1700V 600A F/DIODE
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 208
-
-
IGBT Modules up to 1200V Diodes; Package: AG-62MM-2; IF (max): 300.0 A; VF (max): 2.3 V; Configuration: Single Diode; Housing: 62 mm; Features: -;,Rectifiers 1200v 300a f/diode
-
1 + 10 + 25 + 50 + >=100 -
MOQ : 1 Наличность : 100